“这是氧化扩散炉，用于在硅片表面形成热氧化层和掺杂杂质。”
“我们在原来基础上优化了温度场分布，炉管内九个测温点的温差控制在正负零点五度以内。”
“掺杂采用先预淀积再推进扩散的两步法，结深控制精度达到正负零点一微米，这对后续MOS管的阈值电压一致性非常关键。”
接下来是离子注入机，溅射台，金属化设备，化学气相沉积设备……
钱学明领着队伍从前到后走过每一道工序，每一步都讲得细致。
光刻前的清洗采用SC??1和SC??2标准两步清洗法，配合兆声震荡辅助去除亚微米级颗粒。
栅氧化层厚度控制到一百二十埃，用椭圆偏振仪在线监测每一批次，多晶硅淀积采用低压化学气相沉积，均匀度优于百分之二……
每一道工序都有具体参数和实测数据。
张停听得频频点头，口中的赞叹一句接着一句。
匡国梁则掏出随身的小本子埋头记了好几页。
走到生产线末端的时候，钱学明停了下来，站在一台测试机前。
他转过身来，脸上的紧张已经彻底消散，取而代之的是一种的自豪：
“各位领导，经过前后三个月的工艺调试和三次流片迭代，目前我们的CMOS工艺良率已经稳定在百分之九十五以上。”
“每片四英寸硅片可产出三百二十颗曙光一号芯片，单片成本折算下来不到三美元。”
“相比国外同级别产品的采购价格，我们的成本优势超过了百分之七十。”
“成本优势超过70%！”
匡国梁倒吸一口凉气。
这个成本放在市场上，毫无疑问，将会带来降维性打击。
拥有无与伦比的竞争力。
钱学明把手放在测试机侧面的数据面板上：
“而且我们不仅跑通了工艺，还完成了工艺文件的标准化，每一个参数，每一个操作步骤都有完整的记录和操作规范。”
两位专家这时候不约而同地往前迈了好几步。
一位戴黑框眼镜的专家姓吴，头发已经灰白了大半，他摘下手套，凑近了看测试机屏幕上滚动显示的数据，然后转过头来，目光灼灼地看着钱学明。
“钱学明同志，我问一个我琢磨了很久的问题。”
“CMOS工艺我们部里的几个院所也研究过，但大家普遍碰到的瓶颈是开关速度上不去，PMOS的空穴