“许总，这边就是咱们的SiC二极管生产线，核心环节一共包括芯片加工、器件制造、封装测试三大模块……”
“高性能的SiCSchottky二极管，带来的开关损耗和反向恢复电荷都显著优于行业平均水平，导通电阻和高温稳定性，可以对标英飞凌……”
“用在快充模块这种核心功率部件上，能将效能发挥到最佳，且使用寿命和发热稳定性控制在极其良好的水平。”
聊完投资后，一切都变得愉快起来。
泰科天润技术总监陈默，主动带着许易一行人，参观起了公司内部精密的sic产线。
国产器件性能对标英飞凌——
这句话听起来很夸张。
但从前英飞凌总部的SiC器件设计专家嘴里说出来，又变得有几分可信度了。
“有了这笔资金支持，我们也可以着手扩充SiCMOSFET的研发设计，预计在20个月内可以完成SiCMOSFET的流片。
不过。
目前就算仅仅采用我们自研的SiCSchottky，预计快充模块的成本，也可以降低10%。
也就是单台快充模块总成本一万三，能达到1300元的成本降幅。
如果等SiCMOSFET的研发流片完成，总成本降幅预计可达到25%。”
…
讲完主要技术参数。
陈默连忙又补充起了他们的“核心价值”。
高压快充模块有接近40%的成本，都来源于功率半导体。
而进口的sic价格又十分昂贵。
一旦实现自研替代进口，这部分的成本降低40%都不是问题。
许易听完，不禁露出满意的表情。
新能源车要走量，以及全国超充桩要铺开，这部分的成本是必须要打下来的。
按照现在的发展来看，基本符合前世的sic自研降本技术路线。
如果再将sic晶圆替换为国产，那么等到一年半载后，产线彻底形成规模，总计达到35%的成本降幅也不是不可能。
届时一台高压快充模块的成本，就能从一万多降低至八千元。
稳辣！！
…
“晶圆供货的情况怎么样？”
许易问。
这话一出，王垒和其他几人的神色难免有些不正常，叹了口气道：“Cree最近产能紧张，成本偏高，而且偶尔有延期。
如果有大批量需求，经常需要提前下单，上次由于晶圆交付周期从8周延长到12周，我们就损失了一笔订单。”
很难绷。
但